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마이크론, 美 D램·HBM 공급망에 271조 '통큰 투자'…메모리 경쟁 격화

미국 마이크론이 현지 최첨단 메모리 생산 능력과 기술력 강화에 총 271조원을 투자한다. 회사의 전체 D램의 40%를 미국 내에서 생산하는 것이 목표로, AI 산업에 필수적인 HBM(고대역폭메모리) 생산 능력도 확충할 계획이다. 마이크론은 도날드 트럼프 행정부와 함께 미국 내 메모리 제조에 약 1천500억 달러, 연구개발(R&D)에 500억 달러를 투자하겠다고 12일(현지시간) 밝혔다. 총 투자 규모는 2천억 달러(한화 271조원)에 달한다. 이번 발표로 마이크론은 기존 계획 대비 투자 규모를 300억 달러 확대하게 됐다. 추가 투자 방안으로는 아이다호주 보이시에 두 번째 첨단 메모리반도체 공장 건설, 버지니아주 매너서스의 기존 제조 시설 확장 및 현대화, 미국 내 HBM 패키징 제조라인 도입 등이 포함됐다. 이로써 마이크론은 아이다호주에 2개의 최첨단 대량 양산 공장, 뉴욕주에 최대 4개의 최첨단 대량 양산 공장, 버지니아주 제조 시설의 확장 및 현대화, 고급 HBM 패키징 라인 및 연구개발 시설 등 총 2천억 달러에 이르는 미국 내 대규모 투자 로드맵을 완성했다. 마이크론은 "이러한 투자는 시장 수요 대응 및 시장 점유율 유지, D램의 40%를 미국 내에서 생산하겠다는 목표를 달성하기 위한 설계"라며 "특히 2개의 아이다호주 제조 공장은 R&D 시설과 인접해 규모의 경제를 실현하고, HBM을 포함한 첨단 제품의 시장 출시 기간을 단축하는 데 일조한다"고 강조했다. 마이크론의 아이다호주 첫 번째 공장은 오는 2027년부터 D램 양산을 시작할 예정이다. 두 번째 공장 역시 연말께 부지 조성을 시작하는 뉴욕주의 첫 번째 공장보다 먼저 가동될 것으로 예상된다. 아이다호주의 두 공장이 완공되면, 마이크론은 미국에 첨단 HBM 패키징 설비를 도입할 계획이다. 또한 마이크론은 칩스법에 따라 버지니아주 설비투자에 2억7천500만 달러의 자금을 지원받기로 확정했다. 해당 투자는 올해 시작된다. 미국 내 전체 투자에 대한 지원금으로는 64억 달러를 받을 예정이다. 마이크론의 투자 발표에 마이크로소프트, 엔비디아, 애플, 델테크놀로지스, 아마존웹서비스(AWS), AMD, 퀄컴 등 미국 빅테크 기업들은 일제히 환영의 뜻을 밝혔다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 "마이크론과 트럼프 행정부의 미국 내 첨단 메모리 및 HBM 투자는 AI 생태계를 위한 중대한 진전"이라며 "마이크론의 고성능 메모리 산업 리더십은 엔비디아가 주도하는 차세대 AI 혁신을 가능케 하는 데 있어 매우 귀중하다"고 말했다.

2025.06.13 10:11장경윤

韓 HBM에 도전장 낸 日 사이메모리, 기본 구조 베일 벗었다

한 때 반도체 왕국을 건설하며 세계 시장을 호령하던 일본이 HBM(고대역폭메모리)을 뛰어넘는 차세대 메모리 반도체 개발에 돌입했다. 이 칩은 연산(프로세서)과 저장(메모리) 장치를 하나의 패키지 안에 수직으로 통합해 속도를 획기적으로 끌어올린 게 특징이다. 13일 반도체 업계 및 외신에 따르면 일본 소프트뱅크와 미국 인텔이 손을 잡고 '사이메모리(Saimemory)'를 설립했다. 회사는 저전력 AI용 메모리를 개발하는 기업이다. HBM과 비교해 전력 소모량이 절반 수준에 불과한 메모리를 개발하는 게 목적이다. HBM 시장의 90% 이상을 한국이 점유율하고 있는 만큼, 한국을 중심으로 편성된 메모리 시장의 지형도를 바꾸겠다는 의도로 해석된다. 사이메모리는 도쿄대학교 등 일본 학계의 특허와 인텔의 기술을 접목한 3D 스택형 D램 기반 메모리 시제품을 2027년까지 완성하는 것을 목표로 하고 있다. 상용화 시점은 2030년 이전으로 예상된다. AI칩까지 한번에 3D 패키징...뉴로모픽과 유사해 사이메모리는 기존 컴퓨터 구조와 다르다. 일반적으로 컴퓨터는 프로세서, 메모리, 프로그램 3가지로 구성된다. 이를 폰 노이만 구조라고 한다. 폰 노이만 구조의 컴퓨터는 연산과 저장의 역할을 각각 프로세서(CPU, GPU, NPU 등)와 메모리로 나눈다. 역할이 다른 만큼 물리적 위치도 떨어져 있다. 프로세서와 메모리 사이의 신호 전송 거리를 단축시키는 인터포저가 필요한 이유다. 반면 사이메모리는 메모리와 프로세서를 함께 적층했다. HBM이 D램만 적층한 뒤 GPU 옆에 놓은 칩이라면, 사이메모리는 GPU와 HBM을 함께 쌓은 걸로 이해하면 쉽다. 연산과 저장 장치가 붙어 있는 만큼 데이터 복사 없이 연산이 가능하다. 고성능 컴퓨팅의 고질적인 문제였던 병목 현상을 완화시킬 수 있는 셈이다. 이를 가능하게 해주는 기술이 일본 도쿄대의 특허다. 도쿄대는 지난 2019년 3월 '3D 스택 메모리를 포함한 AI 프로세서(Artificial intelligence processor with 3D stack memory)'라는 명칭의 특허를 등록했다. 사실상 패키징 기술로, TSV(실리콘 관통 전극) 등 기술을 통해 계층 간 초고속 연결을 실현한다. 전체적인 콘셉트는 뉴로모픽 반도체와 유사하다. 뉴로모픽은 인간의 뇌를 본따 만든 반도체로, 폰 노이만 구조에서 완전 벗어난 게 특징이다. 두 칩의 차이는 뉴로모픽이 연산과 저장이 하나의 소자에서 이뤄지는 반면, 사이메모리는 칩을 붙였을 뿐 하나의 소자에서 연산과 저장이 이뤄지지는 않는다. 부분적으로 폰 노이만 구조를 벗어났지만 완전한 탈피는 아닌 것이다. 신현철 반도체공학회 학회장 겸 광운대 반도체시스템공학부 교수는 “사이메모리는 프로세서와 메모리가 어쨌든 각각 다른 칩”이라며 “뉴로모픽은 연산과 기억을 하나의 소자에서 해야 한다. 뉴로모픽 반도체는 아닌 것 같다”고 설명했다. 이종한 상명대학교 시스템반도체공학과 교수는 “폰 노이만 구조는 메모리와 비메모리(시스템)이 데이터를 주고 받는 것인데 사이메모리도 이를 크게 벗어나진 않는 것 같다”며 “기존 구조는 유지하되 부분적으로 성능을 꾀하는 것”이라고 말했다. 이종 연결 기술이 어려워...양산이 장애물 상용화에 가장 큰 장애물은 이종 간 연결로 평가된다. 메모리와 프로세서는 칩의 구조 자체가 완전 다르다. 단순히 서로 다른 칩을 연결하는 문제가 아니라 재료, 전기, 열, 신호 처리 등 복잡한 문제가 엉켜있다. 만약 전기적 특성이 다르면 제대로 동작하지 않거나 장치에 손상이 일어날 가능성이 높다. 현재 파운드리(반도체 위탁생산) 업계에서는 이 같은 이종 반도체 간 연결을 하나의 패키지로 통합하는 기술을 개발하고 있다. 삼성전자에서는 아이큐브(I-Cube), TSMC는 인포(InFO), 인텔은 포베로스(Foveros)라고 부른다. 다만 프로세서 명가 인텔이 사이메모리에 참여한 만큼 이종간 칩 연결이 가능할 것이라는 의견도 나온다. 신현철 학회장은 “서로 다른 칩을 연결하는 건 마치 볼트가 구멍에 맞지 않는데 연결하는 그런 느낌”이라면서도 “인텔이 워낙 프로세스를 잘하는 업체니까 이쪽 부분에서 해결할 수 있는 기술이 있을 것 같다”고 예상했다. 다른 장애물로는 양산이 꼽힌다. 연구를 마치고 양산에 들어갈 때 칩의 수율을 확보하기 어려울 수 있다는 의견이다. 아울러 사이메모리가 메모리 팹리스(반도체 설계전문)를 표방하는 만큼, 지금까지 메모리의 생산 방식과 다를 가능성이 높다. 지금까지 메모리 반도체 업체들은 설계와 제조를 같이 하는 IDM(종합반도체기업)이었다. 메모리 팹리스라는 사업을 얘기한 곳은 사이메모리가 처음이다. 이종한 교수는 “뉴로모픽도 개발은 어느 정도 됐는데 양산은 또 다른 이야기인 것처럼, 실제로 양산하는 건 다른 문제”라고 말했다.

2025.06.13 10:07전화평

"HBM4 80개 高집적"…TSMC, 차세대 패키징 고도화

대만 파운드리 TSMC가 차세대 AI 반도체 시장을 목표로 첨담 패키징 기술을 고도화하고 있어 주목된다. AI 반도체가 점차 고성능·대면적화되는 추세에 맞춰, HBM4(6세대 고대역폭메모리)를 80개까지 탑재한 제품을 고안해낸 것으로 파악됐다. 12일 업계에 따르면 TSMC는 지난달 말 미국 텍사스주에서 열린 'ECTC 2025(전자부품기술학회)'에서 초대형 AI 반도체를 위한 '시스템온웨이퍼(SoW-X)'의 구체적인 구조를 발표했다. 16개 컴퓨팅 칩에 80개 HBM 연결…기존 대비 전성비 1.7배 향상 SoW-X는 TSMC가 오는 2027년 양산을 목표로 하고 있는 차세대 패키징 기술이다. GPU·CPU 등 고성능 시스템반도체와 HBM을 집적한 AI 반도체 분야에 적용될 예정이다. SoW-X는 기존 패키징 공정에서 쓰이던 기판(PCB)나 실리콘 인터포저(칩과 기판 사이에 삽입되는 얇은 막)를 사용하지 않고, 메모리 및 시스템반도체를 웨이퍼 상에서 직접 연결하는 것이 핵심이다. 각 칩의 연결은 칩 하단에 형성된 미세한 구리 재배선층(RDL)이 담당한다. 이 때 RDL은 칩 외부로 확장되는데, TSMC에서는 이를 InFO(Integrated Fan-Out)라고 부른다. SoW-X는 웨이퍼 전체를 활용하기 때문에 초대형 AI 반도체 제작이 가능하다. TSMC가 발표한 자료에 따르면, SoW-X는 최대 16개의 고성능 컴퓨팅 칩, 80개의 HBM4 모듈을 집적했다. 이로 인해 총 메모리 용량은 3.75TB(테라바이트), 대역폭은 160TB/s에 이른다. 또한 SoW-X는 동일한 수의 컴퓨팅 칩을 사용하는 기존 AI 반도체 클러스터에 비해 전력 소비량은 17% 줄어들었으며, 46% 향상된 성능을 제공할 수 있다. TSMC는 "SoW-X는 각 칩 간의 뛰어난 연결성과 낮은 소비 전력으로 기존 AI 반도체 클러스터 대비 와트(W)당 전체 성능이 1.7배 가량 개선됐다"며 "훨씬 더 많은 시스템반도체와 HBM을 통합해 시스템 전력 효율성이 향상되며, 기존 기판 연결의 어려움도 제거할 수 있다"고 설명했다. HPC·AI 시장 목표…"수요 당장 많지 않다" 지적도 TSMC는 SoW-X를 업계 표준을 능가하는 혁신적인 기술 플랫폼으로 평가하며, 차세대 고성능 컴퓨팅 및 AI 산업을 공략하겠다고 밝혔다. 다만 SoW-X 기술이 AI 메모리 시장에 미칠 여파가 당장은 크지 않다는 지적도 제기된다. HBM 탑재량이 80개로 매우 많지만, 지금 당장은 초대형 AI 반도체에 대한 수요가 제한적이라는 이유에서다. 실제로 SoW-X의 이전 세대로 지난 2020년 도입된 SoW는 테슬라·세레브라스 등 소수의 고객사만이 양산에 채택한 바 있다. 반도체 업계 관계자는 "테슬라의 슈퍼컴퓨팅 '도조(Dojo)' 전용 칩인 'D1'처럼, SoW-X는 완전한 커스터마이즈 칩을 위한 기술로서 니치 마켓에 부합한다"며 "워낙 많은 칩이 탑재되고 기술적인 난이도도 높아, 대중적인 AI 반도체 패키징 기술을 당장 대체하기는 어려울 것"이라고 말했다.

2025.06.12 15:54장경윤

"한국형 우주망원경, 규모 크진 않아도 5년 내 구축 추진"

"우리나라도 독자적인 우주망원경을 갖출 때가 됐습니다. 대규모는 아니어도, 현재 5년 내 개발을 목표로 기획을 진행 중입니다." 박장현 한국천문연구원장은 지난 10일 취임 5개월 차를 맞아 개최한 기자간담회에서 ▲장기비전 2070 ▲기관운영 방안 ▲주요예상 성과 등을 공개하며 이같이 말했다. 박 원장은 "50cm급 비축 자유곡면 삼 반사 광시야(보름달 약 100개를 한 번에 관측할 수 있는) 광학망원경인 'K-드리프트(DRIFT) 같은 류의 지상 망원경을 기반으로 개발한다면 가능할 것"으로 내다봤다. 미래 50년에 대비해 한국천문연구원이 나아갈 비전 2070에 대해서도 간략히 설명했다. 미션은 '우주에 대한 근원적 의문에 과학으로 답한다'이다. 이를 위해 5대 미래 방향과 16개 도전 목표를 제시했다. 눈길을 끄는 주요 목표로는 우주 생명체 흔적이 있는 외계행성 지도 작성, 태양계내 생명현상 탐사, 기술문명 징후 탐색, 천문 우주 빅데이터 및 AI 생태계 선도 등이다. 삼성전자 SK하이닉스 반도체 탑재 위성, 발사위해 NASA 이송 올해 주요 예상 성과로는 한국우주전파관측망(KVN) 4호기를 갖춘 서울대 평창 전파천문대 12일 개소를 먼저 꼽았다. 또 천문연이 참여하는 세계 최대 남반구 전천 탐사 LSST 프로그램도 올해 중하반기에는 시작할 수 있을 것으로 전망했다. 삼성전자와 SK하이닉스에서 개발한 반도체 등이 실릴 아르테미스 2호 탑재 큐브위성 'K-RadCUBE' 비행모델 미국 이송도 하반기 주요 성과로 예상했다. 이 큐브 위성은 지구 고궤도 상에서 분리 사출돼 근지구 방사선 환경을 관측할 예정이다. 미항공우주국(NASA) 우주망원경 스피어엑스 분광 전천 탐사도 계속한다. 스피어엑스는 내년 말까지 총 4회에 걸쳐 전천 탐사를 수행할 예정이다. 우리나라는 천문연과 서울대 등 연구진이 150억 원을 투입해 이 사업에 참여 중이다. 또 칠레 엘 소스 천문대에 설치한 광학망원경 'K-DRIFT' 2대에서 나올 이미지를 하반기 공개한다. 이외에 중반기 NASA와 공동으로 국제우주정거장에 설치한 태양 코로나그래프(CODEX)의 협대역 필터 관측으로 얻은 태양 코로나 온도 및 속도 분포 영상을 중반기 발표한다. 관측소 무인화...연구과제 20개 수준으로 대폭축소 박 원장은 기관 경영 혁신과 관련해 6가지 방향을 제시했다. 현재 광학, 전파, 우주 구분 방식으로 짜여져 있는 조직을 임무 기반의 메트릭스 구조로 전환한다. 주요사업과 수탁사업, 사업규모, 국가법, 국가계획, 특수 임무 등을 고려해 우주항공청과 상응한 체계를 갖춰 나갈 방침이다. 현재 운영 중이거나 향후 10년 이내 구축 예정인 관측 인프라에 대해선 예산, 인력, 성과에 대한 로드맵을 작성하고 정밀 분석에 들어간다. 관측소 등은 무인화나 원격 운영도 검토한다. 연구과제수도 오는 2026년까지 20여 개 수준으로 대폭 축소한다. 주요사업은 실질적인 중과제 중심 운영체제로 전환할 예정이다. 이외에 주요사업의 현재 예산 수준과 향후 예산 수요 규모의 격차 해소, 빅이슈 도전과 글로벌 주도권 확보, 성과확산 생태계 구축 등도 중점 추진한다. 박 원장은 "경영혁신을 뒷받침하기 위해 연구 수월성과 한시적 TF 운영, 인건비 수권예산 확대 등을 실현할 계획"이라는 입장도 추가로 밝혔다. 경영 키워드로 창의성과 조화 강조 경영 키워드로는 창의성과 조화라는 단어를 꺼내놨다. 창의성은 개인 창의보다는 조직 문화적 창의성을 강조했다. 창의적 조직문화가 만들어질 수 있는 환경을 만들어가겠다는 의미다. 조화는 오케스트라를 예로 들었다. 세계 정상급 오케스트라 단원은 개별 실력도 뛰어나지만 남의 소리를 듣는 능력도 최고이기에, 최상을 소리를 낼 수 있다는 것이다. "개인과 조직의 조화는 최고 수준의 성과와 기관을 만들어 내는 기초적인 밑거름입니다." ◆ 박장현 원장 1963년생. 연세대 천문학과 졸업 후 동 대학에서 박사 학위를 취득했다. 1992년 천문연에 들어가 우주천문연구부장과 우주위험감시센터장 등을 역임했다. 우주천문, 우주탑재체 개발, 우주위험 감시 등 우주항공청이 담당하고 있는 주요 임무와 정책분야에서 30여년 간 일했다.

2025.06.11 12:00박희범

삼성전자, DDR4 깜짝 수요 효과…2분기 실적 '가뭄에 단비'

삼성전자의 레거시 D램 매출이 당초 예상보다 확대될 가능성이 높아졌다. 주요 기업의 감산에 따라 공급 부족 현상이 심화되면서, 가격 상승 및 판매량 증가 효과를 동시에 거둔 덕분이다. 이에 따라 올 2분기 HBM(고대역폭메모리) 사업의 부진을 어느 정도 만회할 수 있을 것으로 전망된다. 11일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중반 DDR4 및 LPDDR4 재고를 당초 예상 대비 큰 폭으로 소진할 수 있을 것으로 관측된다. DDR4 및 LPDDR4는 D램 업계에서 레거시(성숙) 제품에 해당한다. 주요 D램 제조기업은 DDR5 및 LPDDR5X 생산에 주력하고 있는 상황으로, 올 연말까지 DDR4 및 LPDDR4 생산량을 크게 줄이기로 했다. 삼성전자의 경우, 지난해 전체 D램에서 DDR4 및 LPDDR4가 차지하는 매출 비중은 30%대에 달했다. 올해에는 이를 한 자릿 수까지 축소할 계획이다. 반면 고객사는 DDR4 및 LPDDR4 감산에 미리 대응하고자 재고 확보에 적극 나서고 있는 것으로 알려졌다. 이에 따라 DDR4 및 LPDDR4의 가격은 단기적으로 급등세를 보이고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격 상승률은 전분기 대비 13~18%로, 당초 전망치(3~8%)를 크게 상회할 전망이다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 상향 조정됐다. 이 같은 추세는 삼성전자의 올 2분기 메모리 사업에도 긍정적인 요소로 작용한다. 레거시 D램이 비주력 사업에 해당하기는 하나, 수요 증가세에 힘입어 기존 삼성전자가 보유했던 재고를 빠르게 소진할 수 있기 때문이다. 반도체 업계 관계자는 "DDR4 및 LPDDR4 제품이 소위 '없어서 못 파는' 지경에 이르면서, DDR5와의 가격 프리미엄이 비정상적인 수준으로 좁혀졌다"며 "특히 삼성전자는 모바일 및 가전 고객사에 업계 평균을 웃도는 수준의 가격 인상을 제시한 것으로 안다"고 설명했다. 또 다른 관계자는 "1분기에는 비수기 영향으로 DDR4의 출하량이 다소 줄었으나, 2분기에는 다시 반등하면서 유의미한 매출 확대가 일어날 것으로 보인다"며 "당초 삼성전자가 제시했던 2분기 D램 빗그로스(공급량 증가율)인 10% 초반을 상회할 가능성이 있다"고 말했다. 덕분에 삼성전자는 올 2분기 HBM 사업 부진의 여파를 일부 상쇄할 수 있을 것으로 관측된다. 앞서 삼성전자는 지난 1분기 6~8억Gb(기가비트) 수준의 HBM을 공급한 것으로 추산된다. 전분기(20억Gb 추산) 대비 크게 줄어든 규모로, 올 2분기 역시 1분기와 비슷한 규모의 공급이 예상된다. 김운호 IBK투자증권 연구원은 "2분기 중 DDR4 가격이 가장 큰 폭으로 상승했고, 이에 따른 수혜도 삼성전자가 가장 크게 받을 것으로 예상돼 물량과 가격, 이익률 모두 긍정적인 변수"라며 "반면 HBM은 이전 전망 대비 물량이 크게 부진해, 이를 반영한 메모리 사업부의 2분기 영업이익은 이전 전망과 크게 다르지 않을 것"이라고 밝혔다.

2025.06.11 11:05장경윤

美 마이크론, 차세대 'HBM4' 샘플 출하 성공…SK하이닉스 '맹추격'

미국 마이크론이 차세대 AI 반도체를 위한 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 샘플을 주요 고객사에 출하했다. SK하이닉스가 지난 3월 업계 최초로 HBM4 샘플을 공급한 데 이은 두 번째 사례로 제품 상용화에 큰 진전을 이뤄냈다. 마이크론은 최근 복수의 주요 고객사에 12단 36GB(기가바이트) HBM4 샘플을 출하했다고 11일 밝혔다. 마이크론은 "이번 출하로 마이크론은 AI 산업을 위한 메모리 성능 및 전력 효율성 분야에서 선도적인 입지를 공고히 하게 됐다"며 "최선단 D램 공정과 검증된 패키징 기술 등을 기반으로 마이크론 HBM4는 고객과 파트너에 완벽한 통합을 제공한다"고 강조했다. 현재 메모리 업계는 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 성공했다. HBM4는 이르면 올 하반기부터 본격적으로 양산될 차세대 제품에 해당한다. 이전 세대 대비 데이터 전송 통로인 I/O(입출력단자) 수가 2배 많은 2048개 집적된 것이 특징이다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스도 지난 3월 핵심 고객사인 엔비디아에 HBM4 샘플을 조기 공급한 바 있다. 삼성전자의 경우 마이크론·SK하이닉스보다 한 세대 앞선 D램(1c D램; 6세대 10나노급)을 채용해 제품을 개발하고 있다. 올 하반기 개발을 완료하는 것이 목표다. 마이크론의 HBM4는 메모리 스택 당 2.0TB/s 이상의 속도와 이전 세대 대비 60% 이상 향상된 성능을 제공한다. 또한 전력 효율성은 이전 세대 대비 20% 이상 높다. 마이크론은 "HBM3E 구축을 통해 달성한 놀라운 성과를 바탕으로, 당사는 HBM4와 강력한 AI 메모리 및 스토리지 솔루션 포트폴리오를 통해 혁신을 지속적으로 추진해 나갈 것"이라며 "당사 HBM4 생산 이정표는 고객의 차세대 AI 플랫폼 준비에 맞춰 원활한 통합 및 양산 확대를 보장한다"고 밝혔다.

2025.06.11 10:07장경윤

[현장] 전인호 퓨어스토리지 지사장 "올플래시 전환, 국내 산업 생존의 문제"

전인호 퓨어스토리지코리아 지사장이 "국내 산업의 생존과 디지털 경쟁력 확보를 위해 스토리지 인프라의 '올플래시 전환'이 시급하다"고 강조했다. 전 지사장은 10일 서울 강남구 아셈타워에서 개최한 기자간담회에서 "국내 산업이 디지털 전환 경쟁에서 살아남기 위한 스토리지 기반 전략을 제시했다. 올플래시 전환은 기존 하드디스크드라이브(HDD) 기반 저장장치를 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)나 다이렉트 플래시 모듈(DFM) 등 플래시 메모리 기반 저장장치로 바꾸는 것을 뜻한다. 플래시 메모리는 HDD에 비해 읽기·쓰기 속도가 빠르고, 전력 소비는 적으며 물리적 공간도 훨씬 덜 차지하는 장점이 있다. 특히 데이터 사용량이 폭증하는 AI·클라우드 시대에는 처리 속도와 에너지 효율이 핵심 경쟁력이 되면서 올플래시 전환의 필요성이 더욱 부각되고 있다. 전 지사장은 "수도권 IDC는 이미 포화 상태고 전력도 제한되고 있다"며 "올플래시 스토리지를 적용하면 같은 데이터를 10분의 1 공간, 5분의 1 전력으로 운영할 수 있어 기업의 IT 인프라 구조를 근본적으로 개선할 수 있다"고 강조했다. 또 "국내 기업의 70~80%는 여전히 HDD 기반 스토리지를 사용하고 있다"며 "이는 AI·빅데이터 환경이 요구하는 속도와 유연성에 부합하지 않으며, 결국 산업적 낭비이자 국가 경쟁력 저하 요인"이라고 지적했다. 더불어 AI, 영상 분석 등 고속 데이터 처리 수요가 모든 산업에 걸쳐 확산되는 상황에서 올플래시는 기업 생존을 위한 핵심 인프라라고 덧붙였다. 퓨어스토리지는 외부 SSD를 구입해 조립하지 않고 플래시 메모리 원재료를 직접 가공해 자체 설계한 '다이렉트 플래시 모듈(DFM)'을 적용한다. 이를 통해 기존 SSD 대비 압축률, 처리속도, 전력 효율을 극대화하고 시스템 안정성도 높였다. 또 중복제거·압축(DRR) 기술을 통해 실사용 용량 대비 물리 디스크 사용량을 획기적으로 줄일 수 있다는 점도 차별화 포인트로 제시했다. 아울러 전 지사장은 퓨어스토리지가 스토리지를 단순히 '제품'이 아닌 '서비스'로 제공하는 구조로 진화하고 있다고 밝혔다. 그는 "퓨어스토리지는 저장장치를 단순히 파는 것이 아니라 구독형 '에버그린(Evergreen)' 모델을 통해 운영 중단 없이 지속적인 성능 업그레이드를 제공하는 서비스형 스토리지(SaaS) 플랫폼으로 전환 중"이라며 "고객은 예측 가능한 성능과 효율을 확보할 수 있고, 기업은 최신 기술을 지속적으로 제공받는다"고 설명했다. 또한 올플래시 전환이 국내 반도체 산업 생태계에도 긍정적인 파급을 줄 수 있다고 강조했다. 전 지사장은 "삼성과 SK하이닉스처럼 플래시 메모리를 생산하는 기업을 보유한 국가라면 스토리지 수요 기반 역시 플래시 중심으로 전환돼는 것이 유리하다"며 "이는 단순한 저장장치 교체가 아니라 산업적 전략과도 직결된 문제"라고 짚었다. 더불어 "지금은 기술의 문제가 아니라 판단과 실행의 속도 문제"라며 "올플래시는 한국 IT 산업이 한 단계 더 도약할 수 있는 기회인 만큼 가능한 한 빨리, 함께 움직여야 한다"고 강조했다.

2025.06.10 16:48남혁우

한애라 SK하이닉스 신임 이사회 의장 "늘 기술 중심 의사결정 진행할 것"

SK하이닉스 신임 이사회 의장을 맡은 한애라 성균관대학교 법학전문대학원 교수가 회사에 필요한 최우선 미래 전략으로 '기술'을 꼽았다. 한 의장은 10일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰를 통해 “SK하이닉스가 지난 최대 실적을 달성할 수 있었던 이유 중 하나는 HBM(고대역폭 메모리)”이라며 “앞선 기술에 대해 전폭적으로 지원하는 것은 미래에도 중요하다”고 밝혔다. 그러면서 “저 역시 이를 유념하며 늘 기술 중심의 의사결정을 진행하도록 하겠다”고 했다. SK하이닉스는 한 의장을 선임한 배경으로 'AI 리더십 강화'라는 전략적 판단이 있다고 설명했다. AI 시대의 본원적 경쟁력을 높이기 위해선 이를 뒷받침할 견고한 거버넌스 체계가 필요하며, 글로벌 무대에서 법률적·지정학적 이슈를 효과적으로 관리할 수 있는 법률 전문가의 역할이 중요하다고 본 것이다. 한 의장은 법과 AI에 능통한 전문가로 평가받는다. 그는 법관, 변호사를 거쳐 성균관대학교 법학전문대학원 교수로 재직 중이며, 국제투자분쟁해결센터(ICSID) 조정인, 대한상사중재원 국제 중재인 등으로 활동하고 있다. 2022년부터는 한국인공지능법학회 부회장에 부임해 AI 관련 법과 제도, 정책 대응 연구도 진행하고 있다. 그는 “SK하이닉스의 경우 기술 전문가의 목소리가 경영에 잘 반영되고 있으며, 회사의 방향을 결정하는 데도 큰 영향을 주고 있다”며 “이 기조를 유지하며 '투자 및 개발 확대'와 '개발 속도 조절' 사이에서 균형을 잘 잡는 것이 HBM 이후의 차세대 메모리를 준비하는 전략이자, AI 시대의 본원적 경쟁력을 키우는 핵심 전략이 될 것”이라고 내다봤다. 그러면서 “AI로 인간 편의를 증진하는 기술이 계속 발전하고 있고, 우리는 매일 미지의 영역으로 한 발짝 나아가고 있다”며 “SK하이닉스 반도체가 일상의 모든 기술과 혁신의 기반이 되는 세상이 오기를 고대하며, 이사회도 최고의사결정 기관으로 최선의 노력을 다하겠다”고 덧붙였다.

2025.06.10 10:46전화평

SK하이닉스, 10나노급 이하 D램 미래 기술 로드맵 공개

SK하이닉스가 일본 교토에서 8일부터 12일까지 진행되는 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'을 열고 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표했다고 10일 밝혔다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며 차세대 반도체, AI 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 10일 행사 3일차 기조연설에서 '지속가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도(Driving Innovation in DRAM Technology: Towards a Sustainable Future)'를 주제로 발표를 진행했다. 차 CTO는 "현재 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F 스퀘어 VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 4F 스퀘어 VG 플랫폼은 D램의 셀 면적을 최소화하고, 수직 게이트(Gate) 구조를 통해 고집적·고속·저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술이다. 기존 D램은 단일 셀의 면적이 6F(2F x 3F)였으나, 4F(2F x 2F)는 이보다 작은 면적으로 집적도 향상에 유리하다. VG는 D램에서 트랜지스터의 스위치 역할을 하는 게이트(Gate)를 수직으로 세우고 그 주위를 채널이 감싸고 있는 구조다. 기존에는 게이트가 채널 위에 수평으로 눕혀져 있는 평면구조였다. 차 CTO는 4F 스퀘어 VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 3D D램은 셀 자체를 수직으로 적층하는 기술이다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, SK하이닉스는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 또한 회사는 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 공개했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다. 한편 행사 마지막 날인 12일에는 박주동 SK하이닉스 부사장(차세대D램 TF 담당)이 발표자로 나선다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

2025.06.10 10:02장경윤

'웨어러블 AI' 시장 뜨는데…글로벌 빅테크 "특화 메모리 없다" 지적

구글·애플·메타 등 글로벌 빅테크들이 앞다퉈 웨어러블 AI 시장 공략을 위한 차세대 제품을 내놓고 있다. 다만 이를 뒷받침할 초소형·고효율 특화 메모리는 부족한 상황으로, 업계 표준 제정이 필요하다는 지적이 제기된다. 7일 업계에 따르면 스마트글라스 등 AI 성능이 강화된 웨어러블 시장을 겨냥한 특화 메모리의 개발 필요성이 대두되고 있다. 최근 AI 스마트글라스 시장은 삼성·구글 연합과 애플, 메타 등 글로벌 빅테크를 필두로 경쟁이 가속화되고 있다. 구글의 경우, 음성 제어가 가능한 AI 비서인 '제미나이'를 탑재한 스마트 글라스 시제품을 지난달 공개했다. 해당 제품의 하드웨어는 삼성전자가 담당했다. 애플은 '시리'를 탑재한 AI 기반 스마트글라스를 내년 말까지 출시할 계획인 것으로 알려졌다. 메타는 자체 AI 챗봇인 '메타 AI'를 탑재한 레이밴 스마트 글라스로 지난해 뛰어난 성과를 거둔 바 있다. 올해 말에는 디스플레이를 탑재한 신제품(코드명 하이퍼노바)도 출시할 예정이다. 이에 AI 스마트 글라스 시장은 중장기적으로 견조한 성장세를 나타낼 전망이다. 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면, 지난해 전 세계 스마트 글라스 출하량은 전년 대비 210% 증가한 300만대를 기록했다. 나아가 오는 2029년까지 연평균 60%의 성장세를 보일 것으로 예상된다. 그러나 메모리 산업은 이 같은 추세에 빠르게 대응하지 못하는 분위기다. 메타는 최근 국내에서 열린 'JEDEC(국제반도체표준화기구) 포럼'에서 "웨어러블 마켓에 최적화된 저용량 낸드가 없다"며 웨어러블 시장을 위한 메모리 표준이 필요함을 강조했다. 설명에 따르면, 웨어러블 시장에서 요구하는 메모리 용량은 최대 32GB(기가바이트) 수준에 불과하다. 그러나 메모리 업계는 인프라 및 모바일, 자동차 시장의 기준을 따라 용량이 계속 증가하고 있다. 현재 고용량 모바일 낸드 제품은 1TB까지 구현된 상황이다. 패키지 크기도 더 작아져야 한다는 지적이 나온다. 현재 모바일 낸드 규격인 UFS의 크기는 가로 11mm, 세로 13mm에 높이 1mm 수준이다. 이는 자동차나 스마트폰 등 대형 제품 기반으로, 웨어러블용으로는 지나치게 크다는 게 메타의 시각이다. 최대 피크 전력이 통상 0.9W 미만인 웨어러블 기기용 배터리의 특성 상, 전력효율성을 극대화해야 한다는 과제도 있다. 물론 반도체 업계에서 웨어러블 기기를 위한 메모리 개발 시도가 전무한 것은 아니다. JEDEC은 지난해 3월 새로운 패키지-온-패키지(PoP) 규격을 제정했다. PoP는 D램과 낸드, 컨트롤러를 소형 패키지로 집적한 메모리다. 해당 규격에서는 웨어러블 기기를 위한 패키지 크기를 가로 8mm, 세로 9.5mm, 높이 1mm 이하까지 구현했다. 다만 웨어러블 기기가 저전력 및 소형화, 고효율 특성을 지속 요구하는 만큼, 기술적 진보가 더 이뤄져야 할 것으로 관측된다. 메타는 메모리 업계와 JEDEC에 대한 요청사항으로 저용량 낸드, 크기 및 피크 전력을 더 줄인 웨어러블용 PoP 표준 개발 모색 등을 주문했다.

2025.06.07 08:30장경윤

美 상무장관 "칩스법 보조금 너무 관대해"…삼성·SK 피해 우려

하워드 러트닉 미국 상무장관이 자국 내 투자를 계획한 반도체 기업에게 제공하기로 한 보조금 일부를 재협상하고 있다고 로이터통신이 5일 보도했다. 이에 삼성전자·SK하이닉스 등 국내 주요 기업의 보조금 축소가 우려된다. 러트닉 장관은 최근 열린 청문회에서 "바이든 행정부 당시 책정한 보조금 중 일부가 너무 관대한 것 같았고, 우리는 이를 재협상할 수 있었다"며 "목적은 미국 납세자에게 혜택을 주는 것"이라고 말했다. 앞서 바이든 행정부는 지난 2022년 반도체지원법(칩스법)에 서명한 바 있다. 미국 내 반도체 공급망 강화를 위한 투자에 390억달러, 연구개발(R&D) 지원에 132억달러 등 5년간 총 527억달러를 지원하는 것이 주 골자다. 칩스법에 따라 삼성전자는 지난해 말 미국 정부로부터 47억4천500만 달러의 보조금 지급을 확정 받았다. SK하이닉스 역시 미국내 반도체 패키징 공장 설립과 관련 4억5천800만 달러의 보조금과 대출 지원 5억 달러, 투자 금액의 최대 25%의 세제혜택을 받기로 했다. 그러나 도널드 트럼프 2기 행정부가 들어서면서 해당 법안에 대한 기류는 크게 바뀌었다. 트럼프 대통령은 취임 초기부터 "칩스법은 끔찍하다. 아무런 의미가 없다"는 등 거센 비판을 이어갔다. 러트닉 장관도 대만 주요 파운드리 TSMC의 사례를 거론하며 반도체 기업들이 미국에 대한 투자 규모를 확대해야 한다는 뜻을 내비쳤다. TSMC는 당초 미국 반도체 제조설비에 650억 달러를 투자하기로 계획하고, 66억 달러 규모의 보조금 지급을 약속 받았다. 그러나 지난 3월 미국에 대한 투자 규모를 1천억 달러로 확대하겠다고 발표했다.

2025.06.05 10:03장경윤

넥스틴, HBM용 검사장비 추가 수주…SK하이닉스와 협력 강화

국내 검사장비 기업 넥스틴이 최근 SK하이닉스로부터 최첨단 HBM(고대역폭메모리) 검사장비에 대한 추가 수주를 받은 것으로 파악됐다. 이 회사는 지난 4월 첫 양산용 장비 공급을 확정지은 이래로 매월 꾸준히 공급 계약을 성사시키고 있다. HBM의 안정적인 수율 확보가 중요해진 만큼, 관련 검사장비의 수요도 증가하고 있는 것으로 풀이된다. 4일 업계에 따르면 넥스틴은 이달 초 SK하이닉스와 HBM용 검사장비 '크로키'에 대한 공급 계약을 체결했다. 규모는 수십억원대로 추산된다. 크로키는 넥스틴이 HBM 등 첨단 패키징 공정을 타겟으로 개발한 매크로 검사장비다. 고성능 광학 기술을 기반으로, HBM 내부에 발생할 수 있는 워피지(웨이퍼가 휘는 현상)나 크랙(칩이 깨지는 현상) 등을 계측하는 역할을 맡고 있다. 앞서 넥스틴은 SK하이닉스와 크로키에 대한 퀄(품질) 테스트를 마무리하고, 지난 4월 첫 양산용 PO(구매주문)을 받은 바 있다. 공시에 따르면 해당 PO의 공급 규모는 63억원 수준이다. 지난해 연 매출액(1천137억원) 대비 5.61%에 해당한다. 첫 양산 대응인 만큼 공급량은 적지만, 매월 추가 수주가 나오고 있다는 점은 고무적이다. 넥스틴은 5월에도 100억원 규모의 추가 공급 계약을 체결했으며, 이달에도 추가 공급을 확정지었다. 크로키는 12단 HBM3E 검사를 주력으로 담당한다. 12단 HBM3E는 SK하이닉스가 지난해 9월부터 엔비디아 등 글로벌 빅테크향으로 양산하기 시작한 차세대 HBM이다. 현재 상용화된 가장 최신 세대의 HBM인 만큼 안정적인 수율 확보가 핵심 과제로 지목돼 왔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층한 뒤 TSV(실리콘관통전극)로 연결한 구조를 갖추고 있다. 그런데 D램의 적층 수가 높아질수록, D램에 가해지는 압력이 심해져 워피지가 발생하기 쉬워진다. 또한 각 D램 사이의 간격이 줄어들어 정밀한 계측이 어렵다는 문제점도 있다. 때문에 주요 메모리 기업들의 HBM용 검사장비 수요는 향후에도 견조할 것으로 예상된다. 반도체 업계 관계자는 "D램을 더 많이 쌓을수록 압착에 의한 스트레스와 칩의 두께 감소로 인한 워피지 현상이 심화될 수밖에 없다"며 "12단 HBM3E는 물론, HBM4 등 차세대 제품에서도 불량 계측에 대한 중요성은 높아지게 될 것"이라고 말했다.

2025.06.04 16:13장경윤

마이크론, 저전력 D램서 삼성·SK '선제 타격'…1c 공정 샘플 최초 출하

마이크론이 6세대 10나노급 D램 기반의 최신 저전력 D램 샘플을 출하했다. 해당 제품의 샘플 출하를 공개한 것은 마이크론이 처음으로, 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 경쟁사와의 차세대 D램 경쟁에 박차를 가하고 있다. 마이크론은 1γ(감마) 공정 기반의 LPDDR5X 샘플을 세계 최초로 고객사에 출하한다고 3일(현지시간) 밝혔다. 1γ는 올해부터 양산이 본격화되는 6세대 10나노급 D램이다. 선폭은 11~12나노 수준이다. 삼성전자, SK하이닉스 등 국내 반도체 업계에서는 1c D램이라고 표현한다. LPDDR5X는 현재 상용화된 가장 최신 세대의 저전력 D램으로, 주로 모바일에 활용된다. 마이크론에 따르면 이번 LPDDR5X는 10.7Gbps(초당 10.7기가비트)의 데이터 처리 속도와 최대 20%의 전력 저감 효과를 갖췄다. 패키지 두께는 0.61mm다. 마이크론은 "업계에서 가장 얇은 크기로, 경젱 제품에 비해 6% 더 얇아졌고, 이전 세대 대비 높이도 14% 줄었다"며 "이러한 소형 칩은 스마트폰 제조업체가 초슬림, 혹은 폴더블 스마트폰을 설계할 수 있는 더 많은 가능성을 열어준다"고 설명했다. 마이크론은 현재 일부 파트너사를 대상으로 1γ LPDDR5X 16GB(기가바이트) 제품 샘플링을 진행 중이다. 이르면 내년 플래그십 스마트폰에 탑재될 예정이다. 마이크론은 지난 2월에도 차세대 CPU용 1γ DDR5의 샘플을 출하한 바 있다. 주요 잠재 고객사는 AMD, 인텔 등으로 알려졌다. 한편 국내 삼성전자와 SK하이닉스도 1c D램 개발에 속도를 내고 있다. SK하이닉스는 지난해 8월 세계 최초로 1c D램 기반의 16Gb(기가비트) DDR5를 개발하는 데 성공했다. 삼성전자는 올해 중반 및 하반기 1c D램 기반의 LPDDR과 DDR5를 순차적으로 개발하는 것을 목표로 하고 있다.

2025.06.04 10:28장경윤

한미반도체, 경기도 이천 오피스 개소…SK하이닉스 대응력 강화

한미반도체가 경기도 이천에 신규 오피스를 오픈한다고 2일 밝혔다. 한미반도체는 지난해 4월 청주 오피스를 개소한 바 있다. 이번 경기도 이천 오피스를 오픈하면서 두번째 지방 거점을 마련하게 됐다. 고객사의 기술 요구사항에 실시간으로 대응하고, 맞춤형 서비스를 제공하기 위한 전략적 조치라고 회사 측은 설명했다. 1980년 설립된 한미반도체는 글로벌 반도체 시장에서 독보적인 업력과 노하우를 바탕으로 전 세계 약 320여개의 고객사를 보유한 반도체 후공정 장비 기업이다. HBM 생산용 TC 본더 전세계 1위 생산자로서 원천기술 보유, 유지 개발하기 위해 2002년 지적재산부 설립 이후 현재까지 총 120여건에 달하는 HBM 장비 특허를 출원하며 핵심 기술의 지적재산권을 확보해 장비의 경쟁력이 한층 높아질 것으로 전망하고 있다.

2025.06.02 15:28장경윤

삼성전자, 1c D램 상용화에 '올인'…성과와 과제는

삼성전자가 1c(6세대 10나노급) D램을 성공적으로 양산하기 위한 만반의 준비에 나섰다. 컴퓨팅·서버 모바일용 제품을 동시다발적으로 개발하는 것은 물론, 수율 향상에 따른 설비투자 확대도 추진하고 있다. 다만 1c D램의 개발 상황과 양산성 확보는 '별개의 문제'라는 지적도 나온다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면 ▲재설계에 따른 생산성 저하 ▲제조 공정에서 허용되는 공정 변동의 폭이 좁다는 점 등이 향후 해결해야 할 핵심 과제로 지목된다. 2일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램의 상용화를 위한 제품 개발에 주력하고 있다. 1c D램은 삼성전자가 올 하반기 양산을 목표로 한 제품이다. 특히 삼성전자는 1c D램을 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 탑재할 예정이기 때문에, 차세대 메모리 사업에 있어 매우 중요한 의미를 가지고 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어 올린 메모리다. 현재 HBM3E(5세대 HBM)까지 상용화에 이르렀다. 주요 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4에 1b(5세대 10나노급) D램을 채용한 것과 달리, 삼성전자는 이보다 한 단계 앞선 1c D램을 활용한다. D램이 HBM의 성능을 좌우하는 핵심 요소인 만큼, HBM4 시장에서 경쟁사 대비 강점을 드러내겠다는 전략으로 풀이된다. 다만 1c D램은 이제 막 개발이 진행되고 있는 제품으로, 수율이나 양산 효율성이 떨어진다는 단점을 동시에 품고 있다. DDR·LPDDR 동시 개발…1c D램 상용화 속도 의지 이에 삼성전자는 1c D램의 성공적인 시장 진입을 위해 다양한 전략을 구사하고 있다. 먼저 LPDDR(저전력 D램)을 포함한 제품의 동시다발적인 개발이다. 1c D램이 HBM에 초점이 맞춰져 있긴 하지만 삼성전자는 현재 1c D램 기반의 LPDDR 개발도 상당 부분 진척된 것으로 파악됐다. 통상 D램은 DDR, LPDDR, GDDR(그래픽 D램) 순으로 개발된 뒤 HBM에 적용한다. 삼성전자는 이 같은 관례를 깨기 위한 혁신을 시도 중이다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자가 그래픽을 제외한 모든 영역에서 1c D램을 거의 동시 개발하고 적용하는 전략을 추진하고 있다"며 "주요 기업들과의 경쟁에서 우위를 다시 선점하려는 의도"라고 설명했다. 삼성전자 안팎의 이야기를 종합하면, 이 회사가 1c D램의 내부 양산 승인(PRA)을 목표로 둔 시점은 LPDDR이 올해 중순, HBM용으로 재설계를 진행한 DDR은 올 3분기께로 관측된다. 앞서 삼성전자는 HBM4용 1c D램의 높은 수율 확보를 위해 지난해 하반기부터 주변 회로의 크기를 키우는 재설계를 단행한 바 있다. 주변 회로가 커지면 칩 사이즈도 커져 웨이퍼 당 생산할 수 있는 칩의 수는 줄어들지만, 개발 난이도를 낮출 수 있다. 수율 높였지만…양산성 확보 결과 지켜봐야 덕분에 삼성전자는 내부적으로 수율 향상에 대한 자신감을 얻은 분위기다. 올해 초 1c D램의 첫 양산 라인 구축을 위한 투자를 진행한 데 이어, 최근에는 평택·화성을 중심으로 추가 설비투자를 계획 중인 것으로 파악됐다. 다만 삼성전자가 1c D램의 수율을 끌어올려 PRA를 마무리 하더라도, 양산 관점에서는 여전히 해결해야 할 과제들이 남아있다. 개발단에서는 소수의 특정 장비로 시제품을 생산한다. 이를 양산 공정으로 이관할 경우, 다수의 장비를 운용해야 하기 때문에 균일한 제조 환경을 구현해줘야 한다. 만약 각 장비 별로 설정이 크게 상이하면 양품을 균일하게 생산할 수 없게 된다. 때문에 양산 공정에서는 공정 변동(Process Variation)의 폭이 넓어야 양산에 유리하다. 그러나 삼성전자 1c D램은 공정 변동 폭이 이전 대비 좁은 것으로 알려졌다. 사안에 정통한 관계자는 "삼성전자의 1c D램은 공정 변동 폭이 좁아 일반적인 환경 대비 설정이 조금만 빗겨가도 불량이 발생해 마진을 확보하기 어렵다는 한계가 있다"며 "재설계에 따른 PRA를 비교적 수월하게 통과하더라도 양산성 확보는 다른 문제"라고 설명했다.

2025.06.02 15:02장경윤

수자원공사, SK하이닉스에 남강댐 수력 에너지 공급…무역장벽 해소

한국수자원공사(K-water)는 SK하이닉스와 남강댐 수력발전을 활용한 직접전력거래(PPA) 협약을 체결했다고 1일 밝혔다. 한국수자원공사는 협약에 따라 1일부터 남강댐 수력발전으로 생산한 친환경 에너지를 SK하이닉스에 직접전력거래 방식으로 공급한다. 경상남도 진주시에 있는 남강 수력발전소는 18MW 용량의 대규모 수력 발전설비로 연간 6만6천954MWh의 친환경 에너지를 생산한다. 약 2만3천여 가구의 연간 전력 사용량을 충당할 수 있는 수준이다. 최근 기후위기 대응을 위한 국제적인 환경 규제가 엄격해지는 가운데, 국내 수출기업이 무역 시장에서 RE100 이행을 명시적인 납품요건으로 요구받고 있다. 국내 대표 수출 품목인 반도체 역시 산업 경쟁력 확보를 위해서는 재생에너지 사용 규제에 자유로울 수 없다. 이번 협약은 수자원공사가 수력발전으로는 가장 큰 규모로 진행하는 직접전력거래 협약으로, SK하이닉스의 탄소 배출 저감과 RE100 달성을 지원함으로써 무역장벽 해소와 글로벌 반도체 경쟁력 강화에도 기여할 것으로 기대된다. 장병훈 수자원공사 수자원환경부문장은 “이번 협약은 국가 반도체 산업의 큰 축을 담당하는 대표적인 기업의 RE100 달성을 지원하고, 함께 기후변화 대응을 위해 나아가는 계기가 될 것”이라며 “앞으로도 국내기업의 녹색 무역장벽 해소와 국가 탄소중립 정책 실현을 위해 최선을 다하겠다”고 밝혔다.

2025.06.01 06:59주문정

美, EDA 업체 중국 수출 금지...K반도체에 영향은?

미국 정부가 자국의 반도체 전자설계자동화(EDA) 업체에 대해 중국 수출을 제한했다. 이는 중국의 반도체 산업 부상을 견제하려는 의도로 해석된다. 다만, 중국 내 생산 거점을 운영 중인 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 기업에 미치는 영향은 크지 않을 것으로 보인다. 최근 외신 및 반도체 업계에 따르면 미국 상무부 산업안보국(BIS)은 시놉시스, 케이던스, 지멘스 등 반도체 EDA 기업에 중국 기업과 거래를 즉각 중단하라고 요구했다. 로이터는 사안에 정통한 소식통을 인용해 “미국이 많은 기업에 허가 없이 중국으로 상품을 운송하는 것을 중단하라고 명령했으며, 특정 공급업체에 이미 부여한 허가를 취소했다”고 보도했다. 이에 시놉시스는 중단 요구가 도착한 현지시간 29일부터 중국에서의 판매를 중단했으며, BIS의 추가 요구가 있을 때까지 중국의 새로운 주문을 받지 않는다는 방침이다. BIS의 이 같은 요구는 케이던스, 지멘스 등에도 도착한 것으로 전해진다. EDA 소프트웨어는 반도체 설계 과정을 자동화하는 핵심 도구이다. 엔비디아, 애플 등 글로벌 기업의 첨단 칩 설계와 시뮬레이션, 검증, 제조, 테스트 등에도 필요하다. 산업 전체에서 차지하는 비중은 크지 않지만 차세대 반도체 설계·검증에는 필수적이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 위에 언급된 업체들의 EDA를 활용하고 있다. 다만 국내 반도체 기업의 중국 공장 운영에는 무리가 없을 것으로 관측된다. EDA가 설계 툴인 만큼 칩을 양산하는 과정에 큰 영향을 미치지 않을 것이라는 분석이다. 메모리 업계 관계자는 “설계 툴이다보니 생산 시설인 중국 공장에 당장 큰 영향은 없을 것으로 보인다”고 말했다. 다른 메모리 업계 관계자는 “국내 메모리 양사의 중국 공장이 생산 법인이다보니 EDA와 무관하다”며 실제 미치는 영향이 적다고 선을 그었다.

2025.05.31 11:11전화평

DDR4 3분기까지 가격↑…삼성·SK 등 단종 효과

DDR4 등 레거시 메모리 가격이 올 3분기까지 가파르게 상승할 것으로 관측된다. 삼성전자·SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 해당 제품의 출하량을 단종 수준까지 줄이면서, 일시적으로 수요가 대두된 데 따른 영향이다. 31일 시장조사업체 디램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb 1Gx8 2133MHz)의 5월 평균 고정거래가격은 2.10 달러로 전월 대비 27.27% 증가했다. 반면 DDR5 16Gb 2Gx8 가격은 4.80 달러로 전월 대비 4.35% 오르는 데 그쳤다. 이에 따라, DDR5 및 DDR4 모듈 간의 가격 프리미엄은 지난 1분기 40%대에서 5월 26%로 크게 축소됐다. 이는 삼성전자, SK하이닉스 등 주요 메모리 기업이 구형 메모리 제품의 생산량을 급격히 줄인 데 따른 영향이다. 이들 기업은 현재 최선단 공정을 활용한 D램 및 HBM(고대역폭메모리) 생산능력 확대에 주력하고 있다. 디램익스체인지의 모회사 트렌드포스는 "주요 D램 공급업체들이 PC 제조사들에 DDR4 모듈 제품의 단종 일정을 통보하면서 모듈 가격도 인상됐다"며 "수요 측면에서는 PC 제조사들이 보급형 CPU와 호환되는 DDR4 모듈의 주문을 크게 늘렸다"고 설명했다. 단종에 따른 DDR4 가격 인상 효과는 단기적으로 지속될 것으로 전망된다. 트렌드포스는 올 2분기 PC용 DDR4 모듈 가격의 가격 상승률을 전분기 대비 3~8%에서 13~18%로 상향 조정했다. 3분기 상승률도 기존 3~8%에서 8~13%로 조정했다. 레거시 메모리 가격 상승이 국내 주요 기업들에게 미칠 영향은 제한적이다. 삼성전자·SK하이닉스는 올해까지 DDR4 등 레거시 메모리 비중을 최대 한 자릿수까지 줄이겠다는 계획을 밝힌 바 있다. 낸드는 저용량 제품을 중심으로 가격 상승세가 나타났다. 메모리카드용 낸드 범용제품(128Gb 16Gx8 MLC)의 5월 평균 고정거래가격은 2.92 달러로 전월 대비 4.84% 증가했다. 낸드는 셀 하나에 데이터를 저장하는 수에 따라 1개(SLC), 2개(MLC), 3개(TLC), 4개(QLC) 등으로 나뉜다. 비트를 더 많이 저장할수록 고용량 낸드 구현에 용이하다. 반대로 비트 저장량이 적을 수록 데이터 처리 속도와 신뢰성이 뛰어나다. SLC의 경우 산업용 장비와 엣지 AI 컴퓨팅, 중국 통신 인프라 등을 중심으로 수요가 증가했다. 특히 스마트 모니터링, 스마트 팩토리 등을 위한 이미지 인식 분야에서 채택량이 늘어난 것으로 알려졌다. 또한 삼성전자는 다음달부터 소비자용 MLC 낸드 시장에서 철수하고, 자동차 및 산업 제어 용으로의 전환을 추진하고 있다. 이에 따라 공급업체들이 MLC 가격 인상을 추진하게 돼, 낸드의 가격 상승세를 주도했다.

2025.05.31 08:20장경윤

TSMC 손 잡은 SK하이닉스, HBM4 로직 다이 비용 압박↑

SK하이닉스가 올 하반기 HBM4(6세대 고대역폭메모리) 양산에 본격 나선다. HBM4는 이전 세대 대비 데이터 처리 속도를 크게 끌여올렸으며, 내부 제어를 담당하는 '로직 다이(베이스 다이)의 기능을 대폭 강화한 것이 특징이다. 이에 따라 제품 가격도 이전 대비 30% 이상 상승할 것으로 예상된다. 다만 SK하이닉스가 HBM4의 가격 인상분 만큼 수익성 증대 효과를 거두기는 어려울 것으로 보인다. 로직 다이의 양산을 대만 주요 파운드리 TSMC에 위탁하기 때문이다. 업계에서는 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중이 20%대에 이를 것으로 추산하고 있다. 30일 업계에 따르면 SK하이닉스가 TSMC에 의뢰한 HBM4용 로직 다이의 생산 단가는 상당히 높은 수준으로 분석된다. TSMC 손 잡았지만…SK하이닉스, '로직 다이' 비용 압박 현재 HBM 시장에서 압도적인 우위를 차지하고 있는 기업은 SK하이닉스다. 글로벌 빅테크인 엔비디아에 가장 많은 HBM을 공급해 왔으며, 지난해 하반기에는 세계 최초로 12단 HBM3E(5세대 HBM)의 양산을 시작한 바 있다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 크게 끌어올린 메모리다. 세대 수가 진화할수록, D램을 더 많이 쌓을수록 성능이 뛰어나다. 12단 HBM3E의 경우 현재 상용화된 HBM 중 가장 고부가 제품에 해당한다. 엔비디아가 올 하반기 출시하는 최신형 AI 가속기 'GB300' 등에 탑재될 예정이다. 나아가 SK하이닉스는 지난 3월 세계 최초로 12단 HBM4 샘플을 엔비디아에 조기 공급하는 성과를 거뒀다. HBM4는 기존 D램 공정에서 양산되던 로직 다이(베이스 다이)를 파운드리를 통해 양산하는 것이 큰 특징이다. 로직 다이는 HBM을 적층한 코어 다이의 메모리 컨트롤러 기능을 담당하는 칩으로, HBM과 GPU 등의 시스템반도체를 PHY(물리계층)으로 연결한다. SK하이닉스는 이 로직 다이의 양산을 TSMC의 최선단 파운드리 공정에 맡기기로 했다. TSMC는 전 세계 1위 파운드리 기업으로, 삼성전자와 더불어 5나노미터(nm) 이하의 초미세 공정을 구현할 수 있는 기술력을 갖췄다. 다만 로직 다이의 외주 양산이 SK하이닉스의 차세대 HBM 수익성을 약화시킬 수 있다는 우려도 제기된다. ▲TSMC가 최선단 파운드리 공정에서 사실상 독점적인 지위를 보유하고 있다는 점 ▲로직 다이가 HBM4로 넘어오면서 각종 부가 기능들이 추가된다는 점이 주된 배경이다. HBM4 내 로직 다이 단가 비중, 20%대 육박할 듯 반도체 업계 전문가와 패키징 업계 관계자들의 말을 종합하면, 현재 HBM4의 전체 단가에서 로직 다이가 차지하는 비중은 20%대에 달할 것으로 분석된다. 반도체 전문 분석기관 테크인사이츠의 최정동 박사는 "HBM4용 로직 다이는 단순히 각 칩을 연결하기만 했던 이전 세대와는 달리, 수 많은 기능을 탑재하고 커스터마이즈화되기 때문에 차원이 다르다"며 "HBM4 모듈 전체에서 20% 정도의 비중을 차지할 것이라는 게 합리적인 추정"이라고 설명했다. HBM4는 Gb(기가비트)당 2달러 초중반대의 가격이 형성될 것으로 알려져 있다. 이전 세대인 HBM3E 대비 약 30%가량 비싼 가격이다. 시장조사업체 트렌드포스도 최근 "HBM3E로의 전환에서 이미 20%의 가격 인상이 나타났었고, HBM4의 경우 30% 이상의 가격 인상이 예상된다"고 밝힌 바 있다. 때문에 HBM4의 가격이 이전 세대 대비 크게 높아진다 하더라도, 실제 SK하이닉스가 거둘 효용성은 크게 저하될 가능성이 높다. 반도체 업계 관계자는 "최첨단 로직 다이 공정에서 뛰어난 성능을 입증한 건 사실상 TSMC가 유일하기 때문에, 부르는 게 값인 상황"이라며 "HBM4의 가격 인상분에서 SK하이닉스가 가져갈 수 있는 부분은 제한적일 것"이라고 말했다. 또 다른 관계자는 "SK하이닉스가 다음달 엔비디아와 내년 HBM4 공급량에 대한 협상을 마무리할 것으로 관측된다"며 "더 많은 공급량을 확약받을수록 가격을 인하할 가능성이 커 논의 결과를 지켜봐야 할 것"이라고 밝혔다.

2025.05.30 14:32장경윤

엔비디아 '블랙웰' 칩 수요 쾌청…삼성·SK HBM 성장 기회

엔비디아가 AI 반도체 산업의 성장세를 자신했다. 미국의 대중 수출 규제 여파에도 최첨단 AI 반도체인 '블랙웰'의 수요가 강력하고, 전 세계 AI 인프라 투자가 활발히 진행되고 있기 때문이다. 초고성능 AI 반도체인 'GB300' 역시 올 3분기 초 차질없이 양산이 시작될 것으로 전망된다. 이에 따라 국내 주요 메모리 업체인 삼성전자, SK하이닉스의 HBM(고대역폭메모리) 사업도 지속적인 성장의 기회를 잡을 수 있을 것으로 기대된다. 中 수출 규제, AI 산업 성장세 등 불확실성 '해소' 이날 엔비디아는 2026년 회계연도 1분기(올해 2~4월) 매출액 440억6천만 달러를 기록했다고 밝혔다. 전년동기 대비 69%, 전분기 대비 12% 증가한 수치다. 영업이익도 232억7천만 달러(Non-GAAP 기준)로 전년동기 대비 43%, 전분기 대비 6% 증가했다. 다만 데이터센터 매출액은 391억1천만 달러로 증권가 컨센서스(약 393억 달러)를 소폭 하회했다. 미국 트럼프 2기 행정부의 수출 규제 강화로 중국향 AI 반도체 'H20'의 판매가 전면 금지된 데 따른 영향이다. 엔비디아는 해당 규제로 1분기 45억 달러의 손실이 발생했으며, 2분기에도 80억 달러의 추가 손실이 있을 것으로 추산했다. 그럼에도 엔비디아는 2분기(5~7월) 매출 가이던스를 약 450억 달러로, 기존 증권가 컨센서스인 455억에 근접한 수준을 제시했다. H20의 수출 금지에도 최신형 AI 반도체인 블랙웰 시리즈의 수요가 견조한 덕분이다. 문준호 삼성증권 연구원은 "엔비디아의 2분기 매출 전망치는 전분기 대비 2% 증가에 그치나, H20의 손실 반영을 제외하면 14%의 성장세"라며 "그만큼 블랙웰의 수요는 같은 기간 더 좋아졌고, 이번 실적 발표에서 불확실성 요인이 다수 해소된 것도 중요한 대목"이라고 설명했다. GB300 양산 임박…SK하이닉스 HBM 훈풍 나아가 엔비디아는 올 하반기에도 전 세계 AI 인프라 투자로 인한 지속적인 성장을 자신했다. 젠슨 황 엔비디아 CEO는 ▲ 추론형 AI의 수요 증가 ▲ AI 확산 규정의 철폐 ▲ 엔터프라이즈 AI 시장의 본격적인 성장 ▲ 리쇼어리 정책 대두로 인한 '옴니버스' 등 산업용 AI 수요 증가 등 네 가지를 주요 배경으로 꼽았다. 견조한 AI 산업의 성장세는 국내 메모리 제조업체인 삼성전자, SK하이닉스에게도 긍정적이다. 특히, AI 반도체의 핵심인 HBM(고대역폭메모리)를 엔비디아 주력으로 공급하는 SK하이닉스의 매출 확대가 두드러질 전망이다. 엔비디아는 올 하반기 12단 HBM3E(5세대 HBM)를 탑재한 최신형 AI 반도체 'GB300'를 출시할 예정이다. GB300은 이달 초 주요 CSP(클라우드서비스제공자)에게 샘플이 공급됐으며, 오는 7월께 양산이 시작될 것으로 예상된다. 엔비디아 역시 GB300에 당초 적용하기로 했던 신규 보드 플랫폼의 채용을 미루는 등 제품 안정성 강화에 만전을 기하는 분위기다. SK하이닉스와 엔비디아간 내년 HBM 공급량 협의도 마무리 단계에 접어들었다. 이르면 다음달 최종 결정이 내려질 것으로 알려졌다. 특히, 엔비디아의 차세대 AI 반도체인 '루빈'에 탑재되는 HBM4(6세대 HBM)의 가격 및 물량이 주요 변수로 작용하고 있다.

2025.05.29 14:07장경윤

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